2、聚焦离子束 FIB：
FIB 是英文 Focused Ion Beam 的缩写,依字面翻译为聚焦离子束.简单的说就是将 Ga(镓)元素离子化成 Ga+, 然后利用电场加速.再利用静电透镜(electrostatic)聚焦,将高能量(高速)的 Ga+打到*的点. 基本原理与 SEM 类似,仅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB 聚焦离子束是针对样品进行平面、界面进行微观分析。流程包括：样品制定、上机分析、
拍照等，最后提供界片等数据。
主要用途：
1、电路修正, 用于验原型,改善 bug，节省开支，增快上市时间。
2、纵面的结构分析可直接于样品上处理,不需额外样品准备。
3、材料分析-TEM 样品制备,用于精确**试片制作,减低**试片研磨所需人员经验的依赖。
4、电压对比、用于判定 Metal(Via/Contact)是否 floating。
5、Grain(晶粒)形状大小的判定。
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